产品介绍
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产品编号:TNST

TNST 技术数据 (下载)

          
产品描述:
TimetubeTM ---超高纯単壁碳纳米管---超高纯単壁碳纳米管(TNST)是先利用甲烷经钴催化剂催化裂解,然后在空气中氧化制备得到的。此类产品几乎不含无定形碳。TNST具有高的燃点,起燃温度可达620°C,可应用于透明导电薄膜及其它科研和工业领域。利用TNST制备的透明导电薄膜片电阻不低于200ohm/sq,透光率不低于80%。
TNST 是制备碳纳米管透明导电薄膜的一种优良原材料。制备得到的透明导电薄膜可广泛应用于触摸屏、平板显示器、液晶显示器及太阳能电池领域。与传统的铟锡氧化物镀膜相比,碳纳米管透明导电薄膜具有以下明显优势:
                   1. 长时间使用,具有稳定的机械性能
                   2. 具有宽的透光谱带
                   3. 在不损失薄膜均匀性的前提下,具有较高的片电阻
                   4. 成本低廉
Timesnano 能够提供1-500gram 包装规格的超高纯単壁碳纳米管(TNST)。
 
性质 单位

超高纯単壁碳纳米管(移动催化)

表征方法
TNST
OD nm <2 HRTEM,Raman
纯度(Purity) wt% >95 TGA & TEM
长度(Length) microns 5-30 TEM
SSA m2/g >490 BET
灰分(ASH) wt% <5 HRTEM,TGA
EC s/cm >100  
堆密度(Tap Density) g/cm3 0.14  
燃点 610 TPO
Ig/Id -- >20 Raman
OD=外径(Outer Diameter) SSA=比表面积(Special Surface Area) EC=导电率(Electric Conductivity)


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