多年来，找到一种可靠方法制备相同结构碳纳米管的水平阵列，是困扰科学家们的一大难题。最近，研发人员开发出一种全新方法，合成出纯度高达90％的相同结构碳纳米管水平阵列。
碳纳米管（CNTs）因其优越的力学、电学和热学性能，被认为最有潜力取代硅用于下一代微电子器件。碳纳米管可看成是由石墨片卷曲而成，但其合成过程完全不涉及卷曲，而是通过催化化学气相沉积法，在催化剂粒子表面成核生长而成。催化剂既提供支撑结构，又催化碳氢键分解成碳原子形成碳纳米管。
技术人员开发出一种利用碳纳米管与催化剂对称性匹配的外延生长的全新方法，通过对碳管成核效率的热力学控制和生长速度的动力学控制，实现了结构为手性指数（2m,m）类碳纳米管阵列的富集生长。他们选用碳化钼为催化剂，制备了纯度高达90％、结构为手性指数（12,6）的金属性碳纳米管水平阵列，密度为20根/微米。他们还用碳化钨做催化剂，制备了结构为手性指数（8,4）的半导体性碳纳米管水平阵列，其纯度可达80％。理论预测，这种方法纯度可达99％，可见还有很大的发展空间。
技术人员表示，相同结构的半导体性碳纳米管水平阵列非常适合用来生产碳纳米管晶体管，他们今后会继续改进纯度，并选择性制备其他类型碳纳米管结构。
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