最近，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室先进炭材料研究部石墨烯研究组采用溶碳量适中的金属铂片作为生长基体，发展出一种基于“析出-表面吸附生长”原理的CVD方法，仅通过改变析出温度便实现了对石墨烯形核密度的控制，制备出晶粒尺寸在~200 纳米到~1 微米范围内均一可调、且晶界完美拼合的高质量单层多晶石墨烯薄膜。在此基础上，获得了晶粒尺寸对多晶石墨烯的电导率和热导率的影响规律及晶界电阻率（~0.3 kW·µm）和晶界热导（~3.8×109 Wm-2K-1），发现减小晶粒尺寸可导致热导率的显著降低但对电导率的影响较小。根据该影响规律推算，当石墨烯的晶粒尺寸从1毫米减小到5纳米时，其热导率的衰减幅度可达300倍，而电导率的衰减仅为10倍左右，并且热导率和电导率随晶粒尺寸变化的变化率高于典型的半导体热电材料。

 

上述结果可为通过晶粒尺寸工程调控石墨烯的电学和热学性质，实现其在电子、光电和热电领域的应用提供有益的指导。该成果得到了科技部重点研发计划、国家自然科学基金委杰出青年基金、重大项目、创新群体以及中科院重点部署项目等的资助，于2月16日在《自然-通讯》上在线发表（Nature Communications, 8:14486, DOI: 10.1038/ncomms14486, 2017）。

 

金属所沈阳材料科学国家（联合）实验室固体原子像研究部马秀良研究组、中山大学许宁生研究组以及浙江大学金传洪研究组的研究人员也参与了这项研究。

 

                                                                                                                                        来源: 金属研究所